2025年10月北京国产元器件替代技术、注意事项及案例分析高级研讨班

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针对于国外对芯片及元器件封锁的大环境下,国内军工各企事业单位在硬件设计中国产元器件的要求占比率上越来越高,但在实际项目应用和替换过程中,很多国产器件的性能和参数往往工程师不为熟知,导致了在工程应用中出现电路故障等相关可靠性问题。因此我单位特邀在实际硬件设计项目中,使用国产元器件的专家授课,主要讲解,在硬件电路设计中,基于国产芯片和元器件的选型、替换、失效及难点等相关专业知识,欢迎大家踊跃参与。详情如下:

一、主办单位:

北京中际赛威文化发展有限公司

北京中际赛威教育科技有限公司   

二、时间/地点:北京   2025年10月31日-11月1日 (2天授课)

三、参加对象:负责电路设计,测试,或PCB设计等方面的硬件工程师;部门主管;已经具备一定的硬件开发经验,需要增加就业竞争力的在校硕士及博士研究生等。

四、研修内容介绍:(特别说明:根据课程需要,可能略微调整课程内容)

第一章   器件选型与替换的基本问题

1.1、电子元器件替换常见问题现象

1.1.1、原来正常工作的产品在器件替换后不能工作或性能降低

1.1.2、器件替换后,批次不良率数据变差

1.1.3、初次选型或替换时需要关注的故障诱发指标参数有哪些

1.1.4、如上问题的成因机理、分析方法

1.2、电子元器件选型与替换技术分析难点

1.2.1、封装带来的问题

1.2.2、内部结构和材质带来的问题

1.2.3、制造工艺带来的使用性问题

1.2.4、内部电路不同带来的参数差异

---相同功能器件的内部拓扑图对比、接口特性差异分析

1.2.5、批次质量水平一致性评价方法

----以TVS、MOS管为例说明一致性指标的选择、统计分布图特征与隐含问题

1.2.6、有益参数和有害参数识别

----以电容、运放为例说明在不同电路中的有益有害指标识别方法

1.2.7、器件应用前后级匹配选型设计注意事项

----阻抗匹配原理,以数字芯片数据接口和模拟放大电路信号采集端口为例

第二章   导致器件故障的应力类型与场合

2.1、瞬态EOS与累积性EOS

----EOS成因、损伤特征、瞬态/累积性EOS特征对比、解决措施

2.2、温度与温度冲击

----器件受温度和温度冲击应力的影响部位和机理,故障特征

2.3、闩锁

----CMOS类IC的闩锁失效机理、测试方法、故障特征、解决措施

2.4、热损伤

----成因(瞬态过流、持续过流、负荷特性曲线超标)、损伤特征、解决措施

2.5、力学损伤

----温度/温度冲击/振动导致的力学损伤机理、损伤特征解决措施

2.6、MSD

----潮敏器件的内部结构,失效的特征、机理、解决措施

2.7、潮湿与腐蚀

----腐蚀的机理,故障特征、解决措施

2.8、VP 与ESD

----尖峰电压的产生场合,损伤特征、解决措施

2.9、过渡过程

----过渡过程对能量接口和数据接口的不同影响分析、过渡过程超调和振荡的产生场合、解决措施

2.10、热插拔

----热插拔的发生场合、损伤特征、解决措施

2.11、接地不良

----接地不良引起器件故障的发生机理、解决措施

2.12、设备互联匹配问题

2.13、电感瞬态过程

----反向电动势的影响、解决措施

2.14、电容瞬态过程

2.15、时间应力自然老化

2.16、气压问题

----安规、高压、发热、密封器件的压差作用机理

第三章   器件选型认证与替换方法、入厂筛选和寿命终止极限判定

3.1、分立元件

     ----电阻、电容、电感、磁珠、导线的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.2、保护类器件

     ----保险丝/TVS/MOV/压敏电阻/GDT/NTC电阻/PTC电阻的筛选指标、

         质控条件判据、寿命终止判据

3.3、模拟类IC类器件

     ----运放、ADDA、LDO的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.4、接口器件

     ----光耦隔离电路、CAN总线、485总线、模拟信号传输接口电路的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.5、二极管三极管

----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.6、功率开关器件

     ----MOSFET/IGBT/功率三极管/继电器的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.7、按键

3.8、线缆接插件

----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.9、数字类IC器件

     ----MCU、存储芯片、逻辑门电路的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

第四章   器件失效分析方法与案例

4.1、目测与镜检

4.2、参数统计分析方法

4.3、IV曲线

4.4、DPA

4.5、X光

4.6、失效特征示例和失效特征判别方法

     ----以IC芯片、电阻、电容、二极管三极管、保护器件为例分别展开

五、主讲专家:

武老师,曾任航天某院总体设计所主任设计师、某研发制造企业研发总监。有电子产品、军工、通信等专业方向的设计、测评和技术管理经历,对电子可靠性设计、测试、失效分析等技术有二十余年的研究,曾在学术会议及多家技术刊物发表专业文章。曾为航天、中电、汽车、中科院、航空、医疗电子、通信、安防、电力电子、分析仪器、工业控制、消费电子、高校等多行业几百家客户提供电路板故障诊断、器件失效分析、可靠性设计审核、测试方案用例设计及问题分析、咨询技术培训、技术辅导等服务。曾作为核心团队成员经历一个企业由零到几个亿、研发团队由几个人到近几百人的发展过程,深谙企业发展过程的产品可靠性问题和解决方法。

六、培训费用及注意事宜:

1、培训费:3980元/人(含培训费、午餐费、讲义资料费等)。

2、培训期间食宿统一安排,费用自理。

3、收款、开发票、培训会务工作由北京中际赛威文化发展有限公司负责。

七、证书颁发: 培训结束后由主办单位向学员颁发结业证书。

八、咨询联系:010-64113137